发明名称 |
III族氮化物半导体发光器件 |
摘要 |
本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括:蓝宝石衬底;以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极,并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构,反射膜位于等电位区域中,由此防止迁移。 |
申请公布号 |
CN102694101A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201210073046.7 |
申请日期 |
2012.03.19 |
申请人 |
丰田合成株式会社 |
发明人 |
户谷真悟;矢羽田孝辅;石黑雄也 |
分类号 |
H01L33/40(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/40(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有;董文国 |
主权项 |
一种III族氮化物半导体发光器件,具有设置在绝缘膜中的Ag或Ag合金反射膜,所述反射膜的至少一部分经由所述绝缘膜位于p型层和具有透明性的p接触电极中的至少之一与n引线电极之间的区域中,其中经由所述绝缘膜在所述n引线电极与所述区域的反射膜之间形成有导电膜,并且所述导电膜电连接至所述p接触电极和所述p型层中的至少之一。 |
地址 |
日本爱知县 |