| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体衬底的隔离结构，形成于半导体衬底上，包括：隔离沟槽，嵌入于所述半导体衬底中；介质层，填充于所述隔离沟槽中；其中，所述隔离沟槽的顶部具有第一宽度W1，所述隔离沟槽的底部具有第二宽度W2，W2＞W1。本申请还公开了该隔离结构的制造方法，具有该隔离结构的半导体结构及其制造方法。该隔离结构及其制造方法可提高集成电路的集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN102694007A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201110068078.3 | 申请日期 | 2011.03.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体衬底的隔离结构，形成于半导体衬底上，包括：隔离沟槽，嵌入于所述半导体衬底中；介质层，填充于所述隔离沟槽中；其特征在于，所述隔离沟槽的顶部具有第一宽度W1，所述隔离沟槽的底部具有第二宽度W2，W2＞W1。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||