发明名称 |
氮化物半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上,在第2电极之间夹着第1电极地设置,与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间,与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。 |
申请公布号 |
CN102694019A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201110255497.8 |
申请日期 |
2011.08.31 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
吉冈启;齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;斋藤涉;杉山亨 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈萍 |
主权项 |
一种氮化物半导体器件,其特征在于,具备:第1半导体层,包含氮化物半导体;第2半导体层,设置在所述第1半导体层之上,包含具有比所述第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体,并具有孔部;第1电极,设置在所述孔部内;第2电极,设置在所述第2半导体层之上,与所述第2半导体层电连接;第3电极,在所述第2半导体层之上,被设置成在该第3电极和所述第2电极之间夹着所述第1电极,并与所述第2半导体层电连接;第1绝缘膜,是含有氧的膜,设置在所述第1电极和所述孔部的内壁之间、及所述第1电极和所述第2电极之间,并与所述第3电极分离设置;及第2绝缘膜,是含有氮的膜,在所述第1电极和所述第3电极之间与所述第2半导体层相接地设置。 |
地址 |
日本东京都 |