| 发明名称 | 半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶片接合体的制造方法，包括：准备隔片形成用膜的工序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层；将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的一侧面上的工序；通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的工序；以及在上述隔片的曾经与上述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的工序。由此，可制造出通过隔片均匀且可靠地接合半导体晶片和透明基板而成的半导体晶片接合体。 | ||
| 申请公布号 | CN102696102A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201080040403.9 | 申请日期 | 2010.09.08 |
| 申请人 | 住友电木株式会社 | 发明人 | 米山正洋;川田政和;高桥丰诚;出岛裕久;白石史广;佐藤敏宽 |
| 分类号 | H01L23/02(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 崔香丹;洪燕 |
| 主权项 | 一种半导体晶片接合体的制造方法，其特征在于，包括：准备隔片形成用膜的工序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层；将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的一侧面上的工序；通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的工序；以及在所述隔片的曾经与所述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的工序。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||