发明名称 |
基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件 |
摘要 |
本发明提供的是一种基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件。包括介质层和双层人工电磁材料层;所述的介质层位于双层人工电磁材料层之间,介质层是单晶硅或者有机高分子聚合物介质材料,厚度为微米量级;所述的双层人工电磁材料层位于介质层两侧的表面,双层人工电磁材料层均由周期性排列的人工电磁材料基本单元构成,其膜层厚度为200纳米以上;所述人工电磁材料层的基本单元为一定宽度的直线型、L型或者连续U型的金属结构。本发明的太赫兹波非对称传输器件具有强的线偏振转换二向色性,双层手性结构实现了太赫兹线偏振波转换的非对称传输。可实现太赫兹波隔离器或太赫兹波二极管,对太赫兹人工电磁材料功能器件的发展具有重要意义。 |
申请公布号 |
CN102692732A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201210162632.9 |
申请日期 |
2012.05.24 |
申请人 |
哈尔滨工程大学 |
发明人 |
史金辉;刘星辰;朱正;关春颖;王政平 |
分类号 |
G02F1/01(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/01(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件,包括介质层和双层人工电磁材料层;其特征在于:所述的介质层位于双层人工电磁材料层之间,介质层是单晶硅或者有机高分子聚合物介质材料,厚度为微米量级;所述的双层人工电磁材料层位于介质层两侧的表面,双层人工电磁材料层均由周期性排列的人工电磁材料基本单元构成,其膜层厚度为200纳米以上;所述人工电磁材料层的基本单元为一定宽度的直线型、L型或者连续U型的金属结构。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室 |