发明名称 基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件
摘要 本发明提供的是一种基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件。包括介质层和双层人工电磁材料层;所述的介质层位于双层人工电磁材料层之间,介质层是单晶硅或者有机高分子聚合物介质材料,厚度为微米量级;所述的双层人工电磁材料层位于介质层两侧的表面,双层人工电磁材料层均由周期性排列的人工电磁材料基本单元构成,其膜层厚度为200纳米以上;所述人工电磁材料层的基本单元为一定宽度的直线型、L型或者连续U型的金属结构。本发明的太赫兹波非对称传输器件具有强的线偏振转换二向色性,双层手性结构实现了太赫兹线偏振波转换的非对称传输。可实现太赫兹波隔离器或太赫兹波二极管,对太赫兹人工电磁材料功能器件的发展具有重要意义。
申请公布号 CN102692732A 申请公布日期 2012.09.26
申请号 CN201210162632.9 申请日期 2012.05.24
申请人 哈尔滨工程大学 发明人 史金辉;刘星辰;朱正;关春颖;王政平
分类号 G02F1/01(2006.01)I 主分类号 G02F1/01(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件,包括介质层和双层人工电磁材料层;其特征在于:所述的介质层位于双层人工电磁材料层之间,介质层是单晶硅或者有机高分子聚合物介质材料,厚度为微米量级;所述的双层人工电磁材料层位于介质层两侧的表面,双层人工电磁材料层均由周期性排列的人工电磁材料基本单元构成,其膜层厚度为200纳米以上;所述人工电磁材料层的基本单元为一定宽度的直线型、L型或者连续U型的金属结构。
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