| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件，包括：第1导电型的第1半导体层；第1导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层的第1沟槽内；含有SixGe1-x或SixGeyC1-x-y的第2导电型的第3半导体层，被设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层且隔着上述第2半导体层与上述第1沟槽邻接的第2沟槽内；第1主电极，与上述第1半导体层连接；以及第2主电极，与上述第3半导体层连接。上述第2半导体层的杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN102694010A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201210069986.9 | 申请日期 | 2012.03.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其中，包括：第1导电型的第1半导体层；第1导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上，杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层的第1沟槽内；含有SixGe1‑x或SixGeyC1‑x‑y的第2导电型的第3半导体层，被设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层且隔着上述第2半导体层与上述第1沟槽邻接的第2沟槽内；第1主电极，与上述第1半导体层电连接；以及第2主电极，与上述第3半导体层连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||