多晶硅栅的沉积方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅栅的沉积方法，在N批次多晶硅栅的沉积过程中，当进行每一批次多晶硅栅的沉积时，向炉管的反应腔内通入反应气体，反应气体在晶圆表面沉积为多晶硅栅，该方法包括：N批次中的每M批次多晶硅栅沉积完毕后，将晶圆从反应腔中取出，并向反应腔内通入氧气，其中，N为大于1的正整数，M为小于N的正整数。采用该方法能够避免多晶硅栅的表面形成晶体缺陷。

主权项

一种多晶硅栅的沉积方法，在N批次多晶硅栅的沉积过程中，当进行每一批次多晶硅栅的沉积时，向炉管的反应腔内通入反应气体，反应气体在晶圆表面沉积为多晶硅栅，其特征在于，该方法包括：N批次中的每M批次多晶硅栅沉积完毕后，将晶圆从反应腔中取出，并向反应腔内通入氧气，所述氧气包含在混合气体中，混合气体的成份为氧气和氩气；其中，氧气的体积比大于50％，混合气体的流量为5标准升每分钟至10标准升每分钟，混合气体通入的时间为30分钟至45分钟，反应腔内的压力为5托至10托，反应腔内的平均温度为600℃至760℃，N为大于1的正整数，M为小于N的正整数。