| 发明名称 | 浮栅的构造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种构造浮栅的方法，包括如下步骤：在晶圆上表面依次沉积栅氧层、多晶硅层、氧化物层和氮化硅层；在氮化硅层之上涂布光刻胶；采用具有x方向条纹状图案的光罩对光刻胶进行第一次曝光；采用具有y方向条纹状图案的光罩对光刻胶进行第二次曝光并显影，在光刻胶上定义出x方向和y方向的条纹状图案；y方向与x方向垂直；以光刻胶为掩膜对晶圆的氮化硅层进行蚀刻，蚀刻完毕后去除晶圆表面的光刻胶。本发明方案由于只进行一次针对氮化硅层蚀刻，因此不会出现-多晶硅层厚度不均匀的情况。而且仍使用两道光罩，这样可以保证FG的外边角保持为直角，不会引起栅极性能损失。 | ||
| 申请公布号 | CN102005374B | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN200910194956.9 | 申请日期 | 2009.09.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王友臻;宋建鹏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
| 主权项 | 一种构造浮栅的方法，包括如下步骤：在晶圆上表面依次沉积栅氧层、多晶硅层、氧化物层和氮化硅层；在氮化硅层之上涂布光刻胶；采用具有x方向条纹状图案的光罩对光刻胶进行第一次曝光；采用具有y方向条纹状图案的光罩对光刻胶进行第二次曝光并显影，在光刻胶上定义出x方向和y方向的条纹状图案；y方向与x方向垂直；以光刻胶为掩膜对晶圆的氮化硅层进行蚀刻，蚀刻完毕后去除晶圆表面的光刻胶。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||