第III族氮化物半导体发光器件

摘要

本发明提供表现出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件中，具有从p-型层的顶表面延伸到n-型层的深度的沟槽提供在与n-电极的布线部或p-电极的布线部重叠(平面视图中)的区域。提供绝缘膜以连续覆盖沟槽、p-型层和ITO电极的侧表面和底表面。绝缘膜中在n-电极和p-电极直接下方的区域(在蓝宝石衬底侧上)中引入反射膜。n-电极的布线部和p-电极的布线部直接下方的区域中的反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。n-电极和p-电极覆盖有额外的绝缘膜。额外的绝缘膜中在布线部直接下方区域中引入反射膜。反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。

主权项

一种正装型第III族氮化物半导体发光器件，其包括生长衬底；n‑型层；发光层；p‑型层；具有接合部和布线部的n‑电极；具有接合部和布线部的p电极；第一绝缘膜；和第二绝缘膜，所述n‑型层、所述发光层和所述p‑型层顺序堆叠在所述生长衬底上，所述n‑电极和所述p‑电极形成在所述第一绝缘膜上，并且所述n‑电极和所述p‑电极的每一个的除所述接合部以外的部分均覆盖有所述第二绝缘膜，其中：所述发光器件具有在所述n‑电极和所述p‑电极的每一个的直接下方的区域中引入所述第一绝缘膜中的反射膜，所述反射膜由对发射波长的光表现出比所述布线部的反射率高的反射率的材料形成；具有从所述p‑型层的顶表面延伸到所述n‑型层的深度的沟槽形成在所述n‑电极的所述布线部直接下方的区域和所述p‑电极的所述布线部直接下方的区域中的至少一个中；并且在所述沟槽形成于其中的所述区域直接下方区域中的所述反射膜位于比所述发光层更低的位置处。