发明名称 |
极紫外光光罩及其制造方法、与基材的图案化方法 |
摘要 |
本发明揭露一种极紫外光光罩及其制造方法、与基材的图案化方法。本发明所述的实施例提供利用极紫外光微影机台来形成半导体先进技术节点的图案的机制。利用光罩曝写机,来形成一或多个极紫外光前光罩,以利于用极紫外光扫描曝光机来制备极紫外光光罩。接着,利用极紫外光光罩在晶片上曝出所需的图案。通过曝光极紫外光前光罩的方式来制备极紫外光光罩的极紫外光扫描曝光机的成像缩小倍率,可使得通过这样的机制所制备的晶片符合半导体先进技术节点的要求。 |
申请公布号 |
CN102692812A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201110259735.2 |
申请日期 |
2011.08.31 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
游信胜;严涛南 |
分类号 |
G03F1/00(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2012.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
一种极紫外光光罩的制造方法,以图案化多个半导体基材,其特征在于,该极紫外光光罩的制造方法包含:利用一光罩曝写机来图案化一第一极紫外光光罩基材,以形成一极紫外光前光罩;以及在一极紫外光扫描曝光机中,利用该极紫外光前光罩图案化一第二极紫外光光罩基材,以形成该极紫外光光罩,其中利用该极紫外光光罩来图案化该些半导体基材。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 |