发明名称 |
一种铜铟镓硒薄膜表面修饰的方法 |
摘要 |
本发明公开一种铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2)薄膜表面修饰的方法,涉及光电功能材料和新能源技术领域。本发明的特点在于:在铜铟镓硒薄膜上沉积一定厚度的金属薄膜或合金薄膜,再将其置于反应性气氛下高温退火,沉积的金属或合金与铜铟镓薄膜表面的铜硒二次相(CuxSe)反应形成宽带隙的铜硒多元金属化合物,达到除去CuxSe的目的。该表面修饰方法避免了传统修饰方法采用KCN刻蚀CuxSe有剧毒不环保的缺点,具有成本低、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点,可实现薄膜表面带隙宽度的提高和梯度带隙的形成,且明显降低pn结界面复合,有效提高器件的开路电压。 |
申请公布号 |
CN102694068A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201210162587.7 |
申请日期 |
2012.05.23 |
申请人 |
中南大学 |
发明人 |
赖延清;陈志伟;张坤;刘芳洋;赵联波;蒋良兴;李劼;刘业翔 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
长沙市融智专利事务所 43114 |
代理人 |
邓建辉 |
主权项 |
一种铜铟镓硒薄膜表面修饰的方法,其特征在于:在铜铟镓硒薄膜上沉积金属或合金薄膜,再将其置于反应性气氛下高温退火,所述的金属或合金薄膜含有锌(Zn)、铝(Al)、锡(Sn)、锑(Sb)、铋(Bi)中的一种或多种元素,所述的金属或合金薄膜的厚度为100nm~2000nm;所述的反应性气氛为含硒或/和硫的气氛,所述的高温退火的温度为200~1000℃,时间为0.01~4h。 |
地址 |
410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号 |