| 发明名称 | 基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器，其特征在于：包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连，所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极连接，本实用新型在具有较低功耗的同时，能够实现输出电压全摆幅以及较低的传输延迟，可以在数字电路设计中得到更好的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN202455333U | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201220068994.7 | 申请日期 | 2012.02.29 |
| 申请人 | 福州大学 | 发明人 | 魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华 |
| 分类号 | H03K19/0185(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器，其特征在于：包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连，所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极连接，该NMOS管的源极接地。 | ||
| 地址 | 350002 福建省福州市铜盘路软件大道89号软件园A区31号楼五层 | ||