半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：在硅片的半导体衬底上形成N阱、P阱以及浅沟槽隔离区，并在N阱和P阱上方分别形成NMOS管和PMOS管的栅极结构；在NMOS管和PMOS管栅极结构两侧的半导体衬底上分别进行轻掺杂漏注入；在硅片表面依次淀积二氧化硅和氮化硅；利用干法刻蚀工艺刻蚀硅片表面的氮化硅，形成NMOS管和PMOS管的栅极结构的侧墙；在NMOS管栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行NMOS管源漏区的光刻和离子注入；在PMOS管栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS管源漏区的光刻和离子注入；去除硅片表面的二氧化硅。应用本发明所述的方法，能够避免去除二氧化硅的工艺在源漏注入前对侧墙造成损害，从而降低由侧墙损害造成的器件不均匀性。

主权项

一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在硅片的半导体衬底上形成N阱、P阱以及浅沟槽隔离区，并在N阱上方形成N型金属氧化物半导体NMOS管的栅极结构，在P阱上方形成P型金属氧化物半导体PMOS管的栅极结构；在NMOS管和PMOS管的栅极结构两侧的半导体衬底上分别进行轻掺杂漏注入；在硅片表面依次淀积二氧化硅和氮化硅；利用干法刻蚀工艺刻蚀硅片表面的氮化硅，形成NMOS管和PMOS管的栅极结构的侧墙；其中，刻蚀掉的氮化硅为除侧墙部分以外的氮化硅；在NMOS管栅极结构侧墙两侧的半导体衬底上进行NMOS管的源漏区的光刻和离子注入；在PMOS管栅极结构侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS管的源漏区的光刻和离子注入；去除硅片表面的二氧化硅，其中，去除掉的二氧化硅是除侧墙部分以外的二氧化硅。