一步电沉积制备ZnO纳米棒阵列的方法

摘要

本发明涉及一种通过直流电沉积在透明导电玻璃上生长ZnO纳米棒阵列的方法。属于纳米光电器件制备技术领域。其步骤包括：首先，配制一定浓度的Zn(NO3)2水溶液；其次，采用直流电沉积法在导电玻璃上进行沉积；最后，对生长好的ZnO纳米棒阵列进行热处理。本发明制备ZnO纳米棒阵列的溶液配制简单，成本低廉，比以往报道过的电沉积方法都要简便，使得它更适用于大规模、低成本纳米器件的制备。通过本方法制备的ZnO纳米棒阵列直径、高度、密度可调，可用于纳米光催化器件、光伏器件等纳米器件的组装。

主权项

一种一步电沉积制备ZnO纳米棒阵列的方法，其特征在于具有以下的过程和步骤：a. 配制一定浓度的Zn(NO3)2水溶液：配制浓度为0.01‑0.05 mol/L的Zn(NO3)2水溶液；b. 采用直流电沉积法在ITO导电玻璃上进行沉积：电流密度在0.1‑1 mA·cm‑2，温度在75‑95 ℃，沉积采用二电极体系，两电极保持平行，间距约为2 cm，沉积时间为20‑40分钟；沉积完成后，将样品用去离子水反复清洗，去除样品上残留溶液离子；c. 对生长好的ZnO纳米棒阵列进行热处理：在150‑200 ℃进行退火处理，保温6小时，热处理气氛为空气气氛；最终制得ZnO纳米棒阵列。