发明名称 |
存储器设备和电子设备 |
摘要 |
提供了存储器设备和电子设备。对单独的存储器单元执行选择操作。设备包括第一存储器单元和与第一存储器单元设置在同一行中的第二存储器单元,它们各自包括具有第一栅极和第二栅极的场效应晶体管。场效应晶体管通过导通或截止来至少控制存储器单元中的数据写入和数据保持。该设备还包括:行选择线,电连接至包括在第一存储器单元和第二存储器单元中的场效应晶体管的第一栅极;第一列选择线,电连接至包括在第一存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极;以及第二列选择线,电连接至包括在第二存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极。 |
申请公布号 |
CN102693755A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201210082547.1 |
申请日期 |
2012.03.16 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
松林大介 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
钱孟清 |
主权项 |
一种存储器设备,包括:第一存储器单元;与所述第一存储器单元设置在同一行中的第二存储器单元;行选择线;第一列选择线;以及第二列选择线,其中,所述第一存储器单元包括场效应晶体管,所述场效应晶体管包括第一栅极和第二栅极并通过导通或截止至少控制所述第一存储器单元中的数据写入和数据保持,其中,所述第二存储器单元包括场效应晶体管,所述场效应晶体管包括第一栅极和第二栅极并通过导通或截止至少控制所述第二存储器单元中的数据写入和数据保持,其中,所述行选择线电连接至包括在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的场效应晶体管的第一栅极,其中,所述第一列选择线电连接至包括在所述第一存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极,以及其中,所述第二列选择线电连接至包括在所述第二存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极。 |
地址 |
日本神奈川县 |