一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法

摘要

本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，包括下列步骤：提供静态随机存储器衬底，衬底上包括依次相邻的第一NMOS区域、PMOS区域和第二NMOS区域，第一NMOS区域用于制备下拉管，PMOS区域用于制备上拉管，第二NMOS区域用于制备控制管；在第一NMOS区域、PMOS区域和第二NMOS区域之间形成浅槽隔离区；在对PMOS区域进行源漏锗注入工艺过程中，使得光刻版同时打开所述第二NMOS区域，同时对所述第二NMOS区域实施锗注入；进行快速退火工艺，所述第二NMOS区域两端形成锗硅晶格结构。本发明降低了控制管器件的载流子迁移率，增大了控制管的等效电阻。

主权项

一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供静态随机存储器衬底，所述衬底上包括依次相邻的第一NMOS区域、PMOS区域和第二NMOS区域，所述第一NMOS区域用于制备下拉管，所述PMOS区域用于制备上拉管，所述第二NMOS区域用于制备控制管；在所述第一NMOS区域、所述PMOS区域和所述第二NMOS区域之间形成浅槽隔离区；在对所述PMOS区域进行源漏锗注入工艺过程中，使得光刻版同时打开所述第二NMOS区域，同时对所述第二NMOS区域实施锗注入；进行快速退火工艺，所述第二NMOS区域两端形成锗硅晶格结构。