| 发明名称 | 高电压静电放电防护用的自我检测装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了高电压静电放电(ESD)防护用的自我检测装置及其制造方法。ESD防护装置可包含一衬底、一N型阱区及一P型阱区。N型阱区配置对应于衬底的一第一部分并具有两个配置于其的一表面的N+区段。P型阱区配置成接近衬底的一第二部分并具有一P+区段与一N+区段。两个N+区段可彼此隔开且每个可关联至装置的一阳极。N+区段可关联至装置的一阴极。一接触部可配置于在两个N+区段之间的一空间中并连接至P+区段。接触部可形成一寄生电容，其关联至联合N+区段形成的一寄生电阻而提供自我侦测以供高电压ESD防护使用。 | ||
| 申请公布号 | CN102693977A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201110072048.X | 申请日期 | 2011.03.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈信良;杜硕伦;陈永初;吴锡垣 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种静电放电防护装置，包含：一衬底；一N型阱区，配置成对应于该衬底的一第一部分并具有两个配置于其的一表面的N+区段，该两个N+区段彼此隔开且每个都关联至该装置的一阳极；一P型阱区，配置成接近该衬底的一第二部分并具有一P+区段与一N+区段，该N+区段关联至该装置的一阴极，其中一接触部是配置于一在该两个N+区段之间的空间中并连接至该P+区段，该接触部形成一寄生电容，其与形成于该N+区段关联的一寄生电阻连接而提供自我侦测以供高电压ESD防护用。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||