| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的驱动方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置具有：光电二极管、第一晶体管以及第二晶体管。所述光电二极管具有将对应于入射光的电荷供给到所述第一晶体管的栅极的功能；所述第一晶体管具有累积供给到栅极的电荷的功能；所述第二晶体管具有保持累积在第一晶体管的栅极中的电荷的功能。所述第二晶体管使用氧化物半导体形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102696109A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201080060657.7 | 申请日期 | 2010.12.21 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 黑川义元;池田隆之 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;H04N5/374(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括；设置在衬底上的第一光传感器，该第一光传感器包括：光电二极管；第一晶体管；以及包括氧化物半导体的第二晶体管，其中，所述光电二极管的一个电极电连接于所述第二晶体管的源极和漏极中的一个，并且，所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接于所述第一晶体管的栅极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||