| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；半导体元件，布置在所述衬底上；以及由焊接材料组成的导热构件。所述导热构件覆盖所述半导体元件，并且连接至形成在所述衬底上的连接焊垫。在所述导热构件上布置有散热体。所述导热构件将所述半导体元件热连接至所述散热体，减小了可能从半导体元件发出电磁噪声或电磁噪声可能入射到半导体元件上的风险。 | ||
| 申请公布号 | CN102693963A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201210033157.5 | 申请日期 | 2012.02.13 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 井原匠 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;张志杰 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；电极部，布置在所述衬底上；半导体元件，布置在所述衬底上；导热构件，由焊接材料组成，所述导热构件覆盖所述半导体元件并且连接至所述电极部；以及散热体，布置在所述导热构件上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横滨市 | ||