发明名称 |
用于制造金属化的半导体衬底的方法和设备 |
摘要 |
描述了一种用于制造金属化的半导体衬底的方法,其中衬底被浸没到涂液中并且在那里优选地以光诱导的方式或者以光辅助的方式被涂层。紧接着,被涂层的衬底被转移到冲洗装置中,用于去除由电解质构成的金属残留物。在该冲洗装置中,衬底经受级联冲洗。在此堆积的含金属的冲洗介质至少部分地又被馈入到涂液中。此外,还描述了一种用于执行这种方法的设备。 |
申请公布号 |
CN102695821A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201080055776.3 |
申请日期 |
2010.09.27 |
申请人 |
吉布尔·施密德有限责任公司 |
发明人 |
C·施密德;H·卡普勒;D·哈贝曼 |
分类号 |
C25D7/12(2006.01)I;C25D21/18(2006.01)I;C25D21/20(2006.01)I;C25D21/08(2006.01)I |
主分类号 |
C25D7/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
胡莉莉;卢江 |
主权项 |
一种用于制造金属化的半导体衬底的方法,其具有如下步骤:‑ 将衬底、尤其是半导体衬底浸没到包含电解质的涂液中,‑ 优选地以光诱导的方式或者以光辅助的方式涂层被浸没的衬底的表面,并且‑ 将衬底转移到冲洗装置中,在所述冲洗装置中,借助液态冲洗介质尽最大可能地从被涂层的表面清除由电解质构成的金属残留物,其中,衬底在冲洗装置中经受级联冲洗,并且来自冲洗装置的含金属的冲洗介质被转移到涂液中,而且在那里至少部分地替换从镀液中带出的和/或被蒸发的电解质。 |
地址 |
德国弗罗伊登斯塔特 |