ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法

摘要

本发明公开了一种ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法，包括：采用SRIM软件程序模拟多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶；按照SRIM模拟得到的多种能量和剂量的Sb离子对ZnO体单晶样品分别进行注入掺杂；ZnO体单晶表面沉积保护层防止Sb原子的外扩散；对Sb离子注入掺杂的ZnO体单晶样品分别进行900℃和1000℃快速退火激活，退火时间1-3分钟。利用本发明，由于离子注入可调节注入离子的能量和剂量，所以通过多种能量和剂量的Sb离子注入可精确控制掺杂的深度和浓度。

主权项

一种ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用SRIM软件程序模拟多种能量和剂量的Sb离子注入掺杂ZnO体单晶；步骤2：按照SRIM模拟得到的多种能量和剂量的Sb离子对ZnO体单晶样品分别进行注入掺杂；步骤3：ZnO体单晶表面沉积保护层防止Sb原子的外扩散；步骤4：对Sb离子注入掺杂的ZnO体单晶样品分别进行900℃和1000℃快速退火激活，退火时间1‑3分钟。