用于绝缘体型衬底上的半导体的基础衬底的制造方法

摘要

本申请涉及用于绝缘体型衬底上的半导体的基础衬底的制造方法。本发明涉及一种用于在绝缘型衬底上制造半导体的基础衬底的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供电阻率为500Ohm.cm以上的硅衬底(1)，b)清洁所述衬底(1)的表面，以去除存在于所述衬底(1)的表面上的自然氧化物和/或掺杂物，c)在所述衬底(1)上形成介电材料层(2)，d)在所述介电材料层(2)上形成多晶硅层(3)，所述方法的特征在于，步骤b)、c)和d)在同一个外壳(10)中依次实现。

主权项

一种基础衬底的制造方法，所述基础衬底用于在绝缘体型衬底上制造半导体，该方法包括以下步骤：提供步骤a)，提供电阻率为500 Ohm.cm以上的硅衬底(1)，清洁步骤b)，清洁所述衬底(1)的表面，以去除存在于所述衬底(1)的表面上的自然氧化物和/或掺杂物，步骤c)，在所述衬底(1)上形成介电材料层(2)，步骤d)，在所述介电材料层(2)上形成多晶硅层(3)，所述方法的特征在于，步骤b)、c)和d)在同一个外壳(10)中依次实现。