沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种Trench DMOS的制作方法，用以解决现有技术TrenchDMOS制作效率低、周期长的问题。该方法在栅氧化层处理后的Trench中沉积POLY层，沉积的每个POLY柱子的高度较Trench的水平面高；在BODY层中注入第一类型的离子；根据每个POLY柱子的高度，及相邻的两个POLY柱子的间距，调整离子注入机的注入角度，使第二类型的离子以一定的角度注入SRC层得到Trench DMOS。如本发明提出的方案，使第二类型的离子以一定的角度注入SRC层，由于具有一定的角度注入，因此实现了在BODY层部分阻挡SRC层离子注入的目的，从而省去了做SRC层光刻的工序，从而缩短了Trench DMOS的制造周期，并提高了生产效率，降低了制作成本。

主权项

一种沟槽型双扩散氧化物半导体场效应管的制作方法，所述沟槽型双扩散氧化物半导体场效应管包括多晶硅POLY层、体区BODY层和源极SRC层，沟槽Trench，所述多晶硅POLY层填充所述沟槽Trench，其特征在于，所述方法包括：在栅氧化层处理后的沟槽Trench中沉积多晶硅POLY层，再通过多晶硅回刻，厚氧化层去除，形成多个多晶硅POLY柱子，使沉积的每个多晶硅POLY柱子的高度较沟槽Trench的水平面高；在体区BODY层中注入第一类型的离子；根据每个多晶硅POLY柱子的高度，以及相邻的两个多晶硅POLY柱子的间距，调整离子注入机的注入角度，使第二类型的离子以一定的角度注入源极SRC层得到沟槽型双扩散氧化物半导体场效应管Trench DMOS。