存储器及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种存储器及其制造方法。该存储器包括：一突出半导体；一挥发性可编程结构；一介电质结构；一栅极结构；以及一控制电路，是供应偏压调整至该突出半导体与该栅极结构。该存储器，是适用于动态随机存取存储器的应用以及低功率需求的应用上。在本发明中，此存储器装置包括电荷捕捉鳍式场效晶体管结构，电荷捕捉鳍式场效晶体管结构包括一倒U字形挥发性可编程结构与在挥发性可编程结构上的倒U字形介电结构。

主权项

一种存储器，其特征在于其包括：一突出半导体，具有一源极区、一漏极区与一通道区，该通道区在该源极区与该漏极区间，该突出半导体是具有一宽度与一高度的一轮廓，该突出半导体的该轮廓是自一基底突出该高度；一挥发性可编程结构，在该突出半导体上，该挥发性可编程结构是具有一内表面与一外表面，该挥发性可编程结构的该内表面是沿着该突出半导体的至少一部分的该宽度与至少一部分的该高度而与该突出半导体的该通道区直接接触；所述挥发性可编程结构包括氮化硅、氧化铝与氧化铪；一介电质结构，是具有一内表面与一外表面，该介电质结构的该内表面是沿着该挥发性可编程结构的至少一部分的宽度与至少一部分的高度与该挥发性可编程结构连接，该介电质结构是具有一宽度与一高度的一轮廓；一栅极结构，是具有一内表面，该栅极结构的该内表面是沿着该介电质结构的至少一部分的该宽度与至少一部分的该高度与该介电质结构作接触；以及一控制电路，是供应调整偏压至该突出半导体与该栅极结构；所述的挥发性可编程结构是具有一可写入时间，该可写入时间小于100纳秒，用以使一电压偏移振幅大于0.3伏特。