| 发明名称 | 包括光抽取结构的III-V发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例包括衬底，该衬底包括主体和粘结到主体的晶种层以及半导体结构，该半导体结构包括置于生长在晶种层上的P型区与n型区之间的发光层。在垂直于半导体结构的生长方向的方向上的折射率变化设在主体与发光层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102696121A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201080061561.2 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | A.J.F.戴维;M.R.克拉梅斯;M.B.麦克劳林 |
| 分类号 | H01L33/20(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 黄维;汪扬 |
| 主权项 | 一种器件，包括：衬底，包括： 主体，和 晶种层，其粘结到所述主体上；以及生长于所述晶种层上的半导体结构，所述半导体结构包括置于n型区与p型区之间的发光层；其中在垂直于所述半导体结构的生长方向的方向上的折射率变化设置在所述主体与所述发光层之间。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||