半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法

摘要

本发明涉及一种半导体芯片(1)，其具有半导体本体(2)，该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区(25)的半导体层序列。在半导体本体(2)上设置有反射结构(3)，反射结构具有反射层(4)以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介电层结构(5)。此外，提出了一种用于制造半导体芯片的方法。

主权项

一种半导体芯片(1)，其具有半导体本体(2)，该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区(25)的半导体层序列，其中‑在半导体本体(2)上设置有反射结构(3)，该反射结构具有反射层(4)以及至少局部地设置在反射层(4)和半导体本体(2)之间的介电层结构(5)；‑介电层结构(5)具有凹处(55)；‑在半导体本体(2)上设置有接触结构(6)，该接触结构设置在介电层结构(5)的所述至少一个凹处(55)中；‑接触结构(6)具有包含TCO材料的层(62)和包含金属或者金属合金的反射器层(61)，其中接触结构(6)的包含TCO材料的层(62)设置在半导体本体(2)和反射器层(61)之间；以及‑反射器层(61)比反射层(4)更接近半导体本体(2)地设置。