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发明名称 METHOD FOR FORMING RECESS GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR101185856(B1) 申请公布日期 2012.09.25
申请号 KR20060083799 申请日期 2006.08.31
申请人 发明人
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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