Method of fabricating Schottky barrier transistor,申请号KR20070136399-传众专利搜索

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发明名称	Method of fabricating Schottky barrier transistor
摘要
申请公布号	KR101185563(B1)	申请公布日期	2012.09.24
申请号	KR20070136399	申请日期	2007.12.24
申请人		发明人
分类号	H01L21/336;H01L21/338	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
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