本地振荡器泄漏及旁带影像校正系统及方法

摘要

一种用于校正一RF发射器之系统或方法，包括输入一测试音调至该RF发射器。LO泄漏校正以该测试音调被输入该RF发射器而对其输出被执行以决定一最小LO泄漏。所以，旁带影像校正以该测试音调被输入该RF发射器而对其输出被执行以决定一最小旁带影像。该RF发射器用之作业根据被检测之该最小LO泄漏与被检测之该旁带影像以在该RF发射器的一正常作业模式之际被使用。

主权项

一种用于为射频(RF)发射器执行本地振荡器(LO)泄漏与旁带影像校正之系统，其包含：一LO泄漏与旁带影像感测器，被组构以感测该RF发射器之输出的一LO泄漏量与一旁带影像量；以及一校正控制逻辑单元，被组构以接收该等被感测之LO泄漏量与旁带影像量，及首先就LO泄漏抑制进行校正与然后就旁带影像抑制进行校正，而对该RF发射器执行校正控制；以及类比电路，其滑动混合该RF发射器之输出及与校正该RF发射器相关之一LO信号。如申请专利范围第1项所述之系统，进一步包含：一类比对数位变换器，被组构以分别变换该被感测之LO泄漏量与该被感测之旁带影像量成为第一与第二被感测值。如申请专利范围第1项所述之系统，其中在该校正之际对该RF发射器之一输入对应于一单一音调频率。如申请专利范围第2项所述之系统，进一步包含：一感测放大器，被组构以放大该被感测之LO泄漏量与该被感测之旁带影像量，及输出一放大后的该被感测之LO泄漏量与一放大后的该被感测之旁带影像量至该类比对数位变换器。如申请专利范围第1项所述之系统，进一步包含：一停止准则单元，被组构以在该LO泄漏量与该旁带影像量二者分别均小于第一与第二预设临界时，去停止该RF发射器之校正。如申请专利范围第1项所述之系统，进一步包含：一切换器，被组构以切换在该RF发射器的正常作业模式之际由对该RF发射器的一输入埠之I与Q输入波道将被发送的一信号，或在该RF发射器的校正之际被提供至该RF发射器的该输入埠之一测试音调信号。如申请专利范围第6项所述之系统，其中该测试音调信号具有至少一单一频率成份、一DC电压、与一空信号。一种用于校正一正交混合器以减少本地振荡器(LO)泄漏与旁带影像之系统，该混合器被组构以接收差动信号，其每一个包括一对正与负信号，该混合器包括一第一对电晶体被组构以接收一对基带差动I波道信号，一第二对电晶体被组构以接收一对基带差动Q波道信号，一第一组四重电晶体被组构以接收一对本地振荡器差动Q波道信号，及一第二组四重电晶体被组构以接收一对本地振荡器差动I波道信号，该系统包含：耦合至该第一对电晶体之一正I波道电流源；耦合至该第一对电晶体之一负I波道电流源；耦合至该第二对电晶体之一正Q波道电流源；耦合至该第二对电晶体之一负Q波道电流源；一计算单元，其计算来自该混合器之一输出的一LO泄漏与一旁带影像；以及一偏压控制逻辑单元，被组构以控制该等电流源，使得：(a)该等四个电流源之一用一第一量被调节，及其他三个电流源的每一个用一第二量被调节，以计算来自该计算单元之一最小LO泄漏值，及(b)该对I波道电流源之每一个用一第三量调节，及该对Q波道电流源之每一个用一第四量调节，以计算来自该计算单元之一最小旁带影像。如申请专利范围第8项所述之系统，其中该第四量为0。如申请专利范围第8项所述之系统，其中该等电流源系使用一透彻搜寻法则来调节。一种用于校正RF发射器之方法，其包含之步骤为：输入一测试音调至该RF发射器；执行LO泄漏校正步骤，用被输入至该RF发射器之该测试音调对该RF发射器之输出执行LO泄漏校正，以决定一最小LO泄漏；随后执行旁带影像校正步骤，用被输入至该RF发射器之该测试音调对该RF发射器之输出执行旁带影像校正，以决定一最小旁带影像；以及根据该被检测之最小LO泄漏与该被检测之最小旁带影像，为该RF发射器储存作业值以供在该RF发射器的一正常作业模式之际被使用；其中使用类比电路于该RF发射器校正程序中，以滑动混合该RF发射器之输出及一LO信号。一种用于校正RF发射器之方法，其包含之步骤为：输入一测试音调至该RF发射器；执行LO泄漏校正步骤，用被输入至该RF发射器之该测试音调对该RF发射器之输出执行LO泄漏校正，以决定一最小LO泄漏；随后执行旁带影像校正步骤，用被输入至该RF发射器之该测试音调对该RF发射器之输出执行旁带影像校正，以决定一最小旁带影像；以及根据该被检测之最小LO泄漏与该被检测之最小旁带影像，为该RF发射器储存作业值以供在该RF发射器的一正常作业模式之际被使用；其中I波道偏压电流源之一P，N差动对与Q波道偏压电流源之一P，N差动对被耦合至该RF发射器，及其中该执行LO泄漏校正之步骤包含：改变该等四个偏压电流源之一值而又维持其他三个偏压电流源为未被改变；以及决定该四个偏压电流源之一值，其形成该最小LO泄漏被检测之结果。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该执行旁带影像校正之步骤包含：用一第一量改变二对偏压电流源之一对中的二个偏压电流源之一值而一第二量改变其他二对偏压电流源之一对中的其他二个偏压电流源之一值；以及决定该等二对偏压电流源之一对中的二个偏压电流源之该值，其形成该最小旁带影像被检测之结果。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该第二量为0。一种校正RF发射器之方法，其包含下列步骤：步骤(a)：输入一低频率LO(本地振荡器)信号作为对该RF发射器之一输入；步骤(b)：执行该RF发射器之一输出与一高频率LO信号的直接混合，并抽取该RF发射器之一LO泄漏作为一第一DC电压；步骤(c)：执行该RF发射器之该输出与该低频率LO信号及该高频率LO信号的滑动混合，并抽取该RF发射器之一旁带影像作为一第二DC电压；以及步骤(d)：判定该等第一与第二DC电压是否小于第一与第二临界电压，且若然，储存校正设定并进入一正常作业模式，及若否，步骤(d1)：改变该RF发射器之至少一特征并回到步骤(a)以继续校正该RF发射器。如申请专利范围第15项所述之方法，其中在步骤(d1)被改变之该RF发射器的该至少一特征为被提供至该RF发射器的I波道与Q波道之一的一偏压电流量。一种用于校正RF发射器之系统，其包含：一本地振荡器(LO)，被组构以在一校正模式之际提供一第一LO信号与一第二LO信号，该第二LO信号具有之频率比该第一LO信号高；一输入埠，被组构以在该校正模式之际接收该第一LO信号作为对该RF发射器的一输入；一混合器，被组构以在一第一作业模式中于该校正模式之际混合该RF发射器之一输出与该第一LO信号，及在一第二作业模式之际执行该RF发射器之该输出与该等第一及第二LO信号的滑动混合；一电压检测器，被组构以在该混合器正于该第一作业模式操作时检测一电压作为一第一DC电压，及在该混合器正于该第二作业模式操作时检测该混合器之一输出作为一第二DC电压，其中该等第一与第二电压分别对应于该RF发射器之一LO泄漏与该RF发射器之一旁带影像；以及一处理单元，其在该等第一与第二DC电压中至少一个分别大于第一与第二预设电压时修改该RF发射器之至少一特征，及以该RF发射器具有该被修改之特征下继续该RF发射器之校正。如申请专利范围第17项所述之系统，其中被改变之该RF发射器的该至少一特征为被提供至该RF发射器的I波道与Q波道之一的一偏压电流量。如申请专利范围第17项所述之系统，其中该第二作业模式在该第一作业模式已完成后发生。