| 主权项 |
一种光电转换元件的制造方法，包含下列步骤：提供一半导体基板，该半导体基板具有一表面；于该半导体基板的该表面形成至少一凹结构及/或至少一凸结构；提供复数半导体奈米粒子于该表面以作为遮罩；以及蚀刻该半导体基板的该表面并形成复数微结构。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中形成该凹结构及/或该凸结构为湿式蚀刻。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中蚀刻该半导体基板的该表面为乾式蚀刻及/或湿式蚀刻。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中该些半导体奈米粒子选自碳化矽、氮化矽、非晶矽、其他较硬之半导体奈米粒子及其组合。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中该半导体基板的材料为多晶矽、单晶矽、非晶矽或其组合。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中形成该半导体奈米粒子的方式为化学气相沉积、物理气相沈积、电浆增强型化学式气相沈积、蒸镀系统、溶胶-凝胶法或其组合。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中形成该些微结构后，更包含：局部或完全移除该些半导体奈米粒子。 |
