| 主权项 |
一种具有磁屏蔽结构之半导体装置，包括有：一基板；一半导体装置，设置于该基板上；以及一环体，具有一中空区，以容设该半导体装置，该环体环绕于该半导体装置，该环体系由导磁材料所组成。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该环体之外周为环形，内周为环形。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该环体之外周为环形，内周为方形。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该导磁材料包含铁、钴、镍至少其中之一之金属、合金、其化合物或其磁性氧化物，该磁性氧化物系包括锰锌系、镍锌系、铜锌系、镍铜锌系、镁锌系及锂锌系之铁氧磁性物其中之一或组合所构成。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该导磁材料之导磁率至少为5。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该基板系选自由覆晶基板、球型栅状阵列基板、以及晶片规格封装基板所组成群组其中之一。一种具有磁屏蔽结构之半导体装置，包括有：一基板；一半导体装置，设置于该基板上；一环体，具有一中空区，以容设该半导体装置，该环体环绕于该半导体装置，该环体系由导磁材料所组成；以及一盖体，设置于该环体上并覆盖该半导体装置，该盖体系由导磁材料所组成。如申请专利范围第7项所述之半导体装置，其中该盖体之厚度大致上为20um以上。如申请专利范围第7项所述之半导体装置，其中该环体之外周为环形，内周为环形。如申请专利范围第7项所述之半导体装置，其中该环体之外周为环形，内周为方形。如申请专利范围第7项所述之半导体装置，其中该导磁材料系指包含铁、钴、镍至少其中之一之金属、合金、其化合物或其磁性氧化物，该磁性氧化物系包括锰锌系、镍锌系、铜锌系、镍铜锌系、镁锌系及锂锌系之铁氧磁性物其中之一或其组合所构成。如申请专利范围第7项所述之半导体装置，其中该导磁材料之导磁率至少为5。如申请专利范围第7项所述之半导体装置，其中该基板系选自由覆晶基板、球型栅状阵列基板、以及晶片规格封装基板所组成群组其中之一。 |
