极端紫外光曝光装置及极端紫外光光源装置

摘要

【课题】;不会使曝光光之波长13.5nm的EUV光的功率下降，能效率良好的除去使曝光受不良影响的频带外光。;【解决手段】;在具有：具备将由来自电浆8的高密度高温部区域所放射的极端紫外光与极端紫外光以外的光所形成的光予以聚光之EUV聚光镜5的极端紫外光光源装置；和将该光投射到光罩25的照明光学系24；和使得光罩25所反射的光投影结像在工件27上的投影光学系26的极端紫外光曝光装置中，将具有开口的遮光手段(光圈50)，设置在EUV聚光镜5与照明光学系24的光学元件之间的光路空间内。上述遮光手段之光射入面的大小，是大到由EUV聚光镜5所射出的光可完全射入的大小，而且，遮光手段的开口大致形成只能通过极端紫外光的大小。

主权项

一种极端紫外光曝光装置，乃于具有：将所供给的原料予以加热．激励使其发生在其略中心包含放射极端紫外光的高密度高温部区域的电浆之加热．激励手段；和以将由从上述电浆的高密度高温部区域被放射的极端紫外光与从上述电浆的高密度高温部区域以外的区域被放射的极端紫外光以外的光所形成，且从具有空间上的波长分布的上述电浆被放射的光予以聚光的方式被配置的聚光光学手段；和取出被聚光的上述光的光取出部之极端紫外光光源装置；和形成图案的光罩；和至少由一个光学元件所形成且将包含从上述极端紫外光光源装置之光取出部被取出的光投射到上述光罩的照明光学系；和使反射上述光罩的光投影结像于工件上的投影光学系的极端紫外光曝光装置中，其特征为：具有开口的遮光手段，是设置在上述极端紫外光光源装置之聚光光学手段与由上述极端紫外光光源装置的聚光光学手段所射入的光为最先射入的上述照明光学系的光学元件之间的光路空间内，且前述开口的中心几近位于前述聚光光学手段的光轴上，上述遮光手段之光射入面的大小，是由上述光取出部被取出的光可完全射入的大小，配置在上述位置之遮光手段的开口，是以具有从射入到上述遮光手段的上述取出光部被取出之空间上的波长分布之光中大致只通过极端紫外光的方式来设定大小与遮光手段的位置。如申请专利范围第1项所记载的极端紫外光曝光装置，其中，上述遮光手段是以复数片各自离开具有开口的板状构件予以定位的方式所构成，各板状构件之开口的大小，是以随着行进到藉由上述聚光光学手段被规定的光轴方向变小的方式来设定，且将最小开口的大小，以具有自射入到上述遮光手段的上述光取出部被取出之空间上的波长分布之光中大致只通过极端紫外光的方式的大小来设定。如申请专利范围第1项或第2项所记载的极端紫外光曝光装置，其中，上述遮光手段是配置在藉由聚光光学手段被聚光且自上述光取出部被取出的光之聚光点附近。如申请专利范围第1项或第2项所记载的极端紫外光曝光装置，其中，上述遮光手段是藉由高融点的金属材料所构成。如申请专利范围第1项或第2项所记载的极端紫外光曝光装置，其中，上述遮光手段是藉由陶瓷材料所构成。如申请专利范围第1项或第2项所记载的极端紫外光曝光装置，其中，在上述遮光手段之开口周边设置冷却手段。如申请专利范围第1项或第2项所记载的极端紫外光曝光装置，其中，将上述遮光手段以可移动到让包含藉由上述聚光光学手段所聚光的极端紫外光之光完全投射到上述遮光手段之无开口的区域的位置之方式来设置。如申请专利范围第1项或第2项所记载的极端紫外光曝光装置，其中，上述极端紫外光光源装置的加热．激励手段是具有一对放电电极，藉由放电将上述被供给的原料予以加热．激励使其发生在其略中心包含高密度高温部区域的电浆。如申请专利范围第1项或第2项所记载的极端紫外光曝光装置，其中，上述加热．激励手段是具有雷射光照射手段，藉由对上述被供给的原料照射雷射光加予加热．激励使其发生在其略中心包含高密度高温部区域的电浆。一种极端紫外光光源装置，乃于具有：将所供给的原料予以加热．激励使其发生在其略中心包含放射极端紫外光的高密度高温部区域的电浆之加热．激励手段；和以将由从上述电浆的高密度高温部区域被放射的极端紫外光与从上述电浆的高密度高温部区域以外的区域被放射的极端紫外光以外的光所形成，且从具有空间上的波长分布的上述电浆被放射的光予以聚光的方式所配置的聚光光学手段；和取出被聚光的上述光的光取出部之极端紫外光光源装置中，其特征为：具有开口的遮光手段，是设置在上述极端紫外光光源装置的聚光光学手段与上述光取出部之间的光路空间内，，且前述开口的中心几近位于前述聚光光学手段的光轴上，上述遮光手段之光射入面的大小，是由上述光取出部被取出的光可完全射入的大小，配置在上述位置之遮光手段的开口，是以具有从射入到上述遮光手段的上述取出光部被取出之空间上的波长分布之光中大致只通过极端紫外光的方式来设定大小与遮光手段的位置。