于浸渍微影系统中监视及控制成像用之方法及装置

摘要

本发明揭示一种监视浸渍微影系统(10)之方法，于此系统(10)中晶圆(12)能浸渍于液态浸渍媒介(24)中。该方法侦测于浸渍媒介容体中浸渍媒介之折射率，曝光图案即配置成在该浸渍媒体中横越，而判定该折射率是否适合以曝光图案将晶圆予以曝光。本发明亦揭示一种用于浸渍微影系统之监视和控制系统(26)。

主权项

一种监视浸渍微影系统(10)之方法，包括：将待曝光之晶圆(12)浸渍于液态浸渍媒介(24)中；侦测于浸渍媒介的测量容积部分中该浸渍媒介之折射率(index of refraction)，曝光图案即在该浸渍媒介中横越过；藉由判定该折射率是否均匀横越及/或判定该折射率在该横越容积中是否在可接受的范围内，以判定该折射率为是否适合以该曝光图案将该晶圆予以曝光；以及监视该浸渍媒介对于至少在该横越容积中存在之外物。如申请专利范围第1项之方法，其中该判定包括判定该折射率是否是在可接受的预定范围内。如申请专利范围第1或2项之方法，其中该判定包括判定从该横越容积中第一位置至该横越容积中第二位置之该折射率是否均匀。如申请专利范围第1或2项之方法，其中该判定包括将于测量装置波长之测量折射率与曝光图案波长之曝光折射率相关联。如申请专利范围第1或2项之方法，其中，测量遍及该横越容积之折射率。如申请专利范围第1或2项之方法，其中，透过干涉仪组件(32)测量该折射率。如申请专利范围第6项之方法，其中，使用多条光束测量遍及该横越容积之折射率。如申请专利范围第6项之方法，其中，至少一条光束可遍及的扫描横越容积以测量遍及该横越容积之折射率。如申请专利范围第1或2项中任何一项之方法，复包括当判定该折射率为不适合的话，则控制该浸渍微影系统以延缓该晶圆之曝光。