半导体装置的结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的结构，包括：一基底；至少两个深沟槽电容器，形成于该基底中；一嵌入式闸极，形成于该基底中，且位于该些深沟槽电容器之间；一埋入带，形成在该基底中，且位于该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极之间；复数个字元线结构，位于该基底上且跨过该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极；一掺杂之矽晶层，形成于该基底上，且位于该些字元线结构之间，其中该掺杂之矽晶层系作为一源/汲极区。

主权项

一种半导体装置的结构，包括：一基底；至少两个深沟槽电容器，形成于该基底中；一嵌入式闸极，形成于该基底中，且位于该些深沟槽电容器之间；一埋入带，形成在该基底中，且位于该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极之间；复数个字元线结构，位于该基底上且跨过该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极；以及一掺杂之矽晶层，形成于该基底上，且位于该些字元线结构之间，其中该掺杂之矽晶层系作为一源/汲极区。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的结构，其中该掺杂之矽晶层之顶部低于该些字元线结构之顶部。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的结构，更包括：一金属矽化物材料层，形成于该掺杂之矽晶层上。如申请专利范围第3项所述之半导体装置的结构，其中该金属矽化物材料层之顶部低于该些字元线结构之顶部。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的结构，其中该掺杂之矽晶层包括磊晶矽。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的结构，更包括：一位元线插塞，电性连接该掺杂之矽晶层。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的结构，其中邻接该嵌入式闸极之该基底具有一掺杂区，以形成环绕该嵌入式闸极之一通道区域。如申请专利范围第3项所述之半导体装置的结构，其中该金属矽化物材料层系包括矽化钴、矽化钛、矽化钨、矽化钽或矽化钼。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的结构，更包括：一绝缘间隙壁，形成于该些字元线结构之侧壁，该绝缘间隙壁系隔离该些字元线结构及该矽晶层。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的结构，其中该位元线结构包括多晶矽、矽化钴、矽化钛、矽化钨、矽化钽或矽化钼。一种半导体装置的结构，包括：一基底；至少两个深沟槽电容器，形成于该基底中；一嵌入式闸极，形成于该基底中，且位于该些深沟槽电容器之间；一埋入带，形成在该基底中，且位于该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极之间；复数个字元线结构，形成于该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极上；一掺杂之矽晶层，形成于该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极之间之该基底上，其中该掺杂之矽晶层系作为一源/汲极区；以及一位元线插塞，电性连接该掺杂之矽晶层。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的结构，其中该掺杂之矽晶层之顶部低于该些字元线结构之顶部。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的结构，更包括：一金属矽化物材料层，形成于该掺杂之矽晶层上。如申请专利范围第13项所述之半导体装置的结构，其中该金属矽化物材料层之顶部低于该些字元线结构之顶部。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的结构，其中该掺杂之矽晶层包括磊晶矽。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的结构，其中邻接该嵌入式闸极之该基底具有一掺杂区，以形成环绕该嵌入式闸极之一通道区域。如申请专利范围第13项所述之半导体装置的结构，其中该金属矽化物材料层系包括矽化钴、矽化钛、矽化钨、矽化钽或矽化钼。一种半导体装置的制造方法，包括：提供一基底；形成至少两个深沟槽电容器于该基底中；形成一嵌入式闸极于该基底中，且位于该些深沟槽电容器之间；在该基底中形成一埋入带，且该埋入带位于该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极之间；形成复数个字元线结构于该基底上，且跨过该些深沟槽电容器及该嵌入式闸极；以及形成一掺杂之矽晶层于该些字元线结构之间之基底上。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，其中形成该掺杂之矽晶层之步骤包括：于该些字元线结构之间的该基底上成长一矽晶层；以及进行一离子植入制程，以对该矽晶层进行掺杂。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，其中该字元线结构包括多晶矽、矽化钴、矽化钛、矽化钨、矽化钽或矽化钼。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，更包括：形成一金属矽化物材料层于该掺杂之矽晶层上。如申请专利范围第21项所述之半导体装置的制造方法，其中该金属矽化物材料层系以自动对准金属矽化物制程形成。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，其中该掺杂之矽晶层之顶部低于该些字元线结构之顶部。如申请专利范围第21项所述之半导体装置的制造方法，其中该金属矽化物材料层之顶部低于该些字元线结构之顶部。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，其中该掺杂之矽晶层包括磊晶矽。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，更包括：一位元线插塞，电性连接该掺杂之矽晶层。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，更包括：对邻接该嵌入式闸极之该基底进行掺杂，以形成环绕该嵌入式闸极之一通道区域。如申请专利范围第21项所述之半导体装置的制造方法，其中该金属矽化物材料层系包括矽化钴、矽化钛、矽化钨、矽化钽或矽化钼。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，更包括：形成一绝缘间隙壁，于该些字元线结构之侧壁，该绝缘间隙壁系隔离该些字元线结构及该矽晶层。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，其中该位元线结构包括多晶矽、矽化钴、矽化钛、矽化钨、矽化钽或矽化钼。如申请专利范围第18项所述之半导体装置的制造方法，其中该掺杂之矽晶层系一源/汲极区。