移位暂存器及其移位暂存装置

摘要

一种移位暂存器及其移位暂存装置。此移位暂存器包括多个移位暂存装置，每一移位暂存装置包括预充电电路、上拉电路、下拉电路。预充电电路用以分别依据第一时脉讯号与第二时脉讯号取样输入讯号，以分别产生第一充电讯号与第二充电讯号。上拉电路耦接预充电电路，用以接收第三时脉讯号与第一充电讯号，据以输出输出讯号。下拉电路耦接预充电电路与上拉电路，用以接收第四时脉讯号与第二充电讯号，据以决定是否将输出讯号耦接至共同电位。

主权项

一种移位暂存装置，包括：一预充电电路，用以分别依据一第一时脉讯号与一第二时脉讯号取样一输入讯号，以分别产生一第一充电讯号与一第二充电讯号；一上拉电路，耦接该预充电电路，用以接收一第三时脉讯号与该第一充电讯号，据以输出一输出讯号；以及一下拉电路，耦接该预充电电路与该上拉电路，用以接收一第四时脉讯号与该第二充电讯号，据以决定是否将该输出讯号耦接至一共同电位，其中该输入讯号、该第一时脉讯号以及该第二时脉讯号在一第一期间致能，该第三时脉讯号在一第二期间致能，该第四时脉讯号在一第三期间致能，且该第二期间在该第一期间之后，该第三期间在该第二期间之后。如申请专利范围第1项所述之移位暂存装置，其中该预充电电路包括：一第一开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第一开关之第一端接收该输入讯号，该第一开关之控制端接收该第一时脉讯号，据以决定是否导通；一第一储能装置，具有第一端与第二端，该第一储能装置之第一端耦接该第一开关之第二端，用以输出该第一充电讯号，该第一储能装置之第二端耦接该共同电位；一第二开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第二开关之第一端接收该输入讯号，该第二开关之控制端接收该第二时脉讯号，据以决定是否导通；以及一第二储能装置，具有第一端与第二端，该第二储能装置之第一端耦接该第二开关之第二端，用以输出该第二充电讯号，该第二储能装置之第二端耦接该共同电位。如申请专利范围第2项所述之移位暂存装置，其中该第一开关及该第二开关各包括一N型金氧半导体电晶体，上述N型金氧半导体电晶体之其中一源/汲极作为该第一开关之第一端及第二开关之第一端，上述N型金氧半导体电晶体之另一源/汲极作为该第一开关之第二端及该第二开关之第二端，上述N型金氧半导体电晶体之闸极作为该第一开关之控制端及该第二开关之控制端。如申请专利范围第2项所述之移位暂存装置，其中该第一开关及该第二开关各包括一N型非晶矽薄膜电晶体，上述N型非晶矽薄膜电晶体之其中一源/汲极作为该第一开关之第一端及该第二开关之第一端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之另一源/汲极作为该第一开关之第二端及该第二开关之第二端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之闸极作为该第一开关之控制端及该第二开关之控制端。如申请专利范围第2项所述之移位暂存装置，其中该第一储能装置及该第二储能装置各包括一电容，上述电容的二端分别作为该第一储能装置的第一端与第二端，以及分别作为该第二储能装置的第一端与第二端。如申请专利范围第1项所述之移位暂存装置，其中该上拉电路包括：一第三开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第三开关之第一端耦接该预充电电路，用以接收该第一充电讯号，该第三开关之控制端接收该第三时脉讯号，据以决定是否导通；以及一第四开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第四开关之第一端接收该第三时脉讯号，该第四开关之控制端耦接该第三开关之第二端，且该第四开关依据其控制端所接收的讯号而决定是否输出该第三时脉讯号，以形成该输出讯号。如申请专利范围第6项所述之移位暂存装置，其中该第三开关及该第四开关各包括一N型金氧半导体电晶体，上述N型金氧半导体电晶体之其中一源/汲极作为该第三开关之第一端及该第四开关之第一端，上述N型金氧半导体电晶体之另一源/汲极作为该第三开关之第二端及该第四开关之第二端，上述N型金氧半导体电晶体之闸极作为该第三开关之控制端及该第四开关之控制端。如申请专利范围第6项所述之移位暂存装置，其中该第三开关及该第四开关各包括一N型非晶矽薄膜电晶体，上述N型非晶矽薄膜电晶体之其中一源/汲极作为该第三开关之第一端及该第四开关之第一端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之另一源/汲极作为该第三开关之第二端及该第四开关之第二端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之闸极作为该第三开关之控制端及该第四开关之控制端。如申请专利范围第6项所述之移位暂存装置，其中该上拉电路更包括：一第三储能装置，具有第一端与第二端，该第三储能装置之第一端耦接该第四开关之控制端，该第三储能装置之第二端耦接该第四开关之第二端。如申请专利范围第9项所述之移位暂存装置，其中该第三储能装置包括一电容，该电容的二端分别作为该第三储能装置的第一端与第二端。如申请专利范围第1项所述之移位暂存装置，其中该下拉电路包括：一第五开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第五开关之第一端耦接该预充电电路，用以接收该第二充电讯号，该第五开关之控制端接收该第四时脉讯号，据以决定是否导通；以及一第六开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第六开关之第一端耦接该第四开关之第二端，该第六开关之第二端耦接该共同电位，该第六开关之控制端耦接该第五开关之第二端，且该第六开关依据其控制端所接收的讯号而决定是否导通，以将该输出讯号耦接至该共同电位。如申请专利范围第11项所述之移位暂存装置，其中该第五开关及该第六开关各包括一N型金氧半导体电晶体，上述N型金氧半导体电晶体之其中一源/汲极作为该第五开关之第一端及该第六开关之第一端，上述N型金氧半导体电晶体之另一源/汲极作为该第五开关之第二端及该第六开关之第二端，上述N型金氧半导体电晶体之闸极作为该第五开关之控制端及该第六开关之控制端。如申请专利范围第11项所述之移位暂存装置，其中该第五开关及该第六开关各包括一N型非晶矽薄膜电晶体，上述N型非晶矽薄膜电晶体之其中一源/汲极作为该第五开关之第一端及该第六开关之第一端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之另一源/汲极作为该第五开关之第二端及该第六开关之第二端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之闸极作为该第五开关之控制端及该第六开关之控制端。如申请专利范围第11项所述之移位暂存装置，其中该下拉电路更包括：一第四储能装置，具有第一端与第二端，该第四储能装置之第一端耦接该第六开关之控制端，该第四储能装置之第二端耦接该共同电位。如申请专利范围第14项所述之移位暂存装置，其中该第四储能装置包括一电容，该电容的二端分别作为该第四储能装置的第一端与第二端。如申请专利范围第1项所述之移位暂存装置，其中该第三时脉讯号为该第一时脉讯号的反向讯号，而该第二时脉讯号与该第四时脉讯号的频率与责任周期比皆为该第一时脉讯号的二分之一。如申请专利范围第1项所述之移位暂存装置，其更包括：一缓冲电路，耦接该上拉电路与该下拉电路之一共用节点，该共用节点用以输出该输出讯号，而该缓冲电路用以传送该输出讯号，并保持该共用节点呈现非浮接状态。如申请专利范围第17项所述之移位暂存装置，其中该缓冲电路包括：一偏压调节电路，耦接该共用节点，用以依据该输出讯号而产生一偏压讯号；以及一第一开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第一开关之第一端耦接该共用节点，该第一开关之第二端耦接该共同电位，该第一开关之控制端接收该偏压讯号，据以决定导通程度。如申请专利范围第18项所述之移位暂存装置，其中该偏压调节电路包括：一第一阻抗，具有第一端与第二端，该第一阻抗之第一端耦接一电源电压；一第二阻抗，具有第一端与第二端，该第二阻抗之第一端耦接该第一阻抗之第二端，该第二阻抗之第二端耦接该共同电位；一第三阻抗，该第三阻抗之其中一端耦接该共同电位；以及一第二开关，具有一第一端、一第二端以及一控制端，该第二开关之第一端耦接该第三阻抗之另一端，该第二开关之控制端耦接该共用节点，用以依据该输出讯号而决定是否导通，而该第二开关之第二端耦接该第二阻抗之第一端，用以输出该偏压讯号。如申请专利范围第19项所述之移位暂存装置，其中该第一开关及该第二开关各包括一N型金氧半导体电晶体，上述N型金氧半导体电晶体之其中一源/汲极作为该第一开关之第一端及该第二开关之第一端，上述N型金氧半导体电晶体之另一源/汲极作为该第一开关之第二端及该第二开关之第二端，上述N型金氧半导体电晶体之闸极作为该第一开关之控制端及该第二开关之控制端。如申请专利范围第19项所述之移位暂存装置，其中该第一开关及该第二开关各包括一N型非晶矽薄膜电晶体，上述N型非晶矽薄膜电晶体之其中一源/汲极作为该第一开关之第一端及该第二开关之第一端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之另一源/汲极作为该第一开关之第二端及该第二开关之第二端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之闸极作为该第一开关之控制端及该第二开关之控制端。如申请专利范围第1项所述之移位暂存装置，其更包括：一第一缓冲电路，该第一缓冲电路耦接该上拉电路与该下拉电路之一共用节点，该共用节点用以输出该输出讯号，而该第一缓冲电路用以缓冲并增强该输出讯号之驱动能力。如申请专利范围第22项所述之移位暂存装置，其中该第一缓冲电路包括：一第一开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第一开关之第一端耦接一电源电压，该第一开关之控制端接收该输出讯号，据以决定是否导通，该第一开关之第二端作为该第一缓冲电路之输出端；一储能装置，具有第一端与第二端，该储能装置之第一端耦接该第一开关之控制端，该储能装置之第二端耦接该第一开关之第二端；以及一第二开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第二开关之第一端耦接该第一开关之第二端，该第二开关之第二端耦接该共同电位，该第二开关之控制端接收一控制脉波，据以决定是否导通，其中该控制脉波之上升缘为该输出讯号之下降缘。如申请专利范围第23项所述之移位暂存装置，其中该第一开关及该第二开关各包括一N型金氧半导体电晶体，上述N型金氧半导体电晶体之其中一源/汲极作为该第一开关之第一端及该第二开关之第一端，上述N型金氧半导体电晶体之另一源/汲极作为该第一开关之第二端及该第二开关之第二端，上述N型金氧半导体电晶体之闸极作为该第一开关之控制端及该第二开关之控制端。如申请专利范围第23项所述之移位暂存装置，其中该第一开关及该第二开关各包括一N型非晶矽薄膜电晶体，上述N型非晶矽薄膜电晶体之其中一源/汲极作为该第一开关之第一端及该第二开关之第一端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之另一源/汲极作为该第一开关之第二端及该第二开关之第二端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之闸极作为该第一开关之控制端及该第二开关之控制端。如申请专利范围第23项所述之移位暂存装置，其中该储能装置包括一电容，该电容的二端分别作为该储能装置的第一端与第二端。如申请专利范围第23项所述之移位暂存装置，其更包括：一第二缓冲电路，该第二缓冲电路耦接该第一缓冲电路之输出端，用以保持该第一缓冲电路之输出端呈现非浮接状态。如申请专利范围第27项所述之移位暂存装置，其中该第二缓冲电路包括：一偏压调节电路，耦接该第一缓冲电路之输出端，用以依据该第一缓冲电路之输出而产生一偏压讯号；以及一第三开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第三开关之第一端耦接该第一缓冲电路之输出端，该第三开关之第二端耦接该共同电位，该第三开关之控制端接收该偏压讯号，据以决定导通程度。如申请专利范围第28项所述之移位暂存装置，其中该偏压调节电路包括：一第一阻抗，具有第一端与第二端，该第一阻抗之第一端耦接该电源电压；一第二阻抗，具有第一端与第二端，该第二阻抗之第一端耦接该第一阻抗之第二端，该第二阻抗之第二端耦接该共同电位；一第三阻抗，该第三阻抗之其中一端耦接该共同电位；以及一第四开关，具有第一端、第二端以及控制端，该第四开关之第一端耦接该第三阻抗之另一端，该第四开关之控制端耦接该第一缓冲电路之输出端，用以依据该第一缓冲电路之输出而决定是否导通，而该第四开关之第二端耦接该第二阻抗之第一端，用以输出该偏压讯号。如申请专利范围第29项所述之移位暂存装置，其中该第三开关及该第四开关各包括一N型金氧半导体电晶体，上述N型金氧半导体电晶体之其中一源/汲极作为该第三开关之第一端及该第四开关之第一端，上述N型金氧半导体电晶体之另一源/汲极作为该第三开关之第二端及该第四开关之第二端，上述N型金氧半导体电晶体之闸极作为该第三开关之控制端及该第四开关之控制端。如申请专利范围第29项所述之移位暂存装置，其中该第三开关及该第四开关各包括一N型非晶矽薄膜电晶体，上述N型非晶矽薄膜电晶体之其中一源/汲极作为该第三开关之第一端及该第四开关之第一端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之另一源/汲极作为该第三开关之第二端及该第四开关之第二端，上述N型非晶矽薄膜电晶体之闸极作为该第三开关之控制端及该第四开关之控制端。一种移位暂存器，包括：一第一移位暂存装置，其电路结构如申请专利范围第1项之移位暂存装置所述，该第一移位暂存装置接收该输入讯号、并依据该第一时脉讯号、该第二时脉讯号、该第三时脉讯号以及该第四时脉讯号而位移该输入讯号，以产生该第一输出讯号；以及一第二移位暂存装置，其电路结构如申请专利范围第1项之移位暂存装置所述，该第二移位暂存装置接收该第一输出讯号，并依据该第一时脉讯号、该第二时脉讯号、一第五时脉讯号以及一第六时脉讯号而位移该第一输出讯号，以产生一第二输出讯号。如申请专利范围第32项所述之移位暂存器，其中该第一时脉讯号与该第二时脉讯号互为反向讯号，该第三时脉讯号与该第四时脉讯号之频率与责任周期比皆为该第一时脉讯号的二分之一，且该第三时脉讯号的脉波致能时间与该第一时脉讯号中排列序号为奇数之脉波的脉波致能时间相同，而该第四时脉讯号的脉波致能时间与该第一时脉讯号中排列序号为偶数之脉波的脉波致能时间相同，该第五时脉讯号与该第六时脉讯号之频率与责任周期比皆为该第二时脉讯号的二分之一，且该第五时脉讯号的脉波致能时间与该第二时脉讯号中排列序号为奇数之脉波的脉波致能时间相同，而该第六时脉讯号的脉波致能时间与该第二时脉讯号中排列序号为偶数之脉波的脉波致能时间相同。