使用适应性汲极及／或闸极偏压之抹除式快闪记忆体及相关抹除方法

摘要

本发明描述一种可利用于快闪记忆体装置之热电洞(hot hole)抹除操作，该快闪记忆体装置具有记忆胞阵列。该抹除操作利用适应性抹除偏压方案，其中，该汲极偏压(及/或该闸级偏压)系依据抹除脉波计数而动态地调整，该抹除脉波计数系对应于预备抹除操作，在该预备抹除操作期间，区段之相当小部分被抹除。该抹除偏压以此方式之调整可使该区段之其余部分使用抹除偏压来抹除，该抹除偏压较适合于该区段现在的抹除特性。

主权项

一种用于具有记忆胞阵列的非挥发性记忆体装置之抹除方法，每一个记忆胞均系被组构用来储存对应于至少一个位元的资讯，该方法包括：初始化用于该记忆胞阵列中的位元群组之抹除操作；取得利用来抹除该位元群组的第一部分之抹除脉冲的数目所对应之计数；依据该计数决定调整过的抹除偏压；利用该调整过的抹除偏压抹除该位元群组的第二部分；以及实施用于该位元群组的该第一部分之预备抹除操作，其中，取得该计数系与该预备抹除操作有关，实施该预备抹除操作包括利用预设抹除偏压来抹除该位元群组的该第一部分，该预设抹除偏压系为预设闸极偏压，该调整过抹除偏压系为调整过的闸极偏压，而决定该过调整的抹除偏压包括依据该计数成比例地增加基线负闸极偏压的绝对值，以取得该调整过的闸极偏压。如申请专利范围第1项之抹除方法，其中，该位元群组的该第一部分及该位元群组之该第二部分并未交错(intersect)。如申请专利范围第1项之抹除方法，其中，该位元群组的该第一部分代表少于该位元群组的一半。如申请专利范围第3项之抹除方法，其中，该位元群组的该第一部分系代表大约该位元群组的百分之十。如申请专利范围第1项之抹除方法，复包括存入该调整过的抹除偏压，以用于该位元群组之后续预备抹除操作期间作为预设抹除偏压之用。如申请专利范围第1项之抹除方法，其中，该位元群组对应于该阵列中的区段。一种非挥发性记忆体系统，其包括：记忆胞阵列，每一个记忆胞均被组构用来储存对应于至少一个位元的资讯；命令组件，耦接于该记忆胞阵列，该命令组件系被组构用来初始化用于该记忆胞阵列中包含数个位元的区段之抹除操作；抹除脉波计数器，系组构用来取得利用来抹除该区段的第一部分之抹除脉冲的数目所对应之计数；抹除偏压调整组件，系组构用来依据该计数决定调整过的抹除偏压；以及电压产生器，连接于该记忆胞阵列，该电压产生器系组构用来施加该调整过的抹除偏压，以抹除该区段的第二部分，其中，该命令组件系组构用来实施利用预设抹除偏压来抹除该区段的第一部分之预备抹除操作；取得该计数系与该预备抹除操作有关；该预设抹除偏压系预设闸极偏压；该调整过的抹除偏压系调整过的闸极偏压；以及决定该过调整的抹除偏压包括依据该计数成比例地增加基线负闸极偏压的绝对值，以取得该调整过的闸极偏压。如申请专利范围第7项之系统，其中，该区段的该第一部分及该区段之该第二部分并未交错。一种用于具有记忆胞区段的非挥发性记忆体装置之抹除方法，每一个记忆胞均系组构用来储存对应于至少一个位元的资讯，该方法包括：建立用于该区段之基线汲极偏压；利用预设汲极偏压来抹除在该区段中的第一部分位元；取得用来抹除该第一部分位元之抹除脉冲的数目所对应之计数；依据该计数增加该基线汲极偏压；依据该增加步骤产生调整过的汲极偏压；利用该调整过的汲极偏压抹除在该区段中的第二部分位元；建立用于该区段之基线负闸极偏压；以及如果该计数系大于最大汲极偏压计数：依据该计数增加该基线负闸极偏压的绝对值；以及依据该增加步骤产生调整过的闸极偏压，其中，抹除在该区段中的该第二部分位元利用该调整过的汲极偏压以及该调整过的闸极偏压。如申请专利范围第9项之抹除方法，其中，该增加步骤依据该计数成比例地增加该基线汲极偏压。如申请专利范围第9项之抹除方法，其中，该增加步骤依据该计数成比例地增加该基线负闸极偏压的该绝对值。