具有光敏薄膜电晶体之大型光感测器

摘要

一种光感测器，包含有一基板，基板上设置一闸极线以及与闸极线相交之一读取线。一光感测元件设置于基板上，并与闸极线以及读取线电性连接。一开关元件设置于基板上，并与闸极线、读取线以及光感测元件电性连接。一遮光层则覆盖于基板上且遮蔽开关元件。

主权项

一种光感测器，其包含：一透明之基板；一闸极线，设置于该基板上；一读取线，设置于该基板上，并与该闸极线相交；一开关元件，设置于该基板上，并与该闸极线以及读取线电性连接；一光感测元件，设置于该基板上，与该闸极线电性连接，且透过该开关元件与该读取线电性连接，其中该光感测元件包含有一主动层及一不透明之闸极，该闸极系设置于该基板与该主动层之间，该闸极具有一开口，对应于该主动层；以及一遮光层，覆盖于该基板上，且遮蔽该开关元件。如申请专利范围第1项所述之光感测器，其中该遮光层系遮蔽该光感测元件。如申请专利范围第1项所述之光感测器，其中该开关元件系为一非晶矽薄膜电晶体。如申请专利范围第1项所述之光感测器，其中该光感测元件系为一非晶矽薄膜电晶体。如申请专利范围第1项所述之光感测器，其中该光感测元件包含有一第一金属层、一第二金属层、与一半导体层，该闸极系由该第一金属层所构成，该主动层则由该半导体层所构成。如申请专利范围第5项所述之光感测器，其中该光感测元件包含有一源极与一汲极，其皆由该第二金属层所构成。如申请专利范围第5项所述之光感测器，其中该半导体层系位于该第一金属层与该第二金属层之间。如申请专利范围第5项所述之光感测器，其中该光感测元件更包含一绝缘层。如申请专利范围第8项所述之光感测器，其中该绝缘层系位于该第一金属层与该半导体层之间。如申请专利范围第8项所述之光感测器，其中该绝缘层系位于该第一金属层与该第二金属层之间。如申请专利范围第5项所述之光感测器，其中该第一金属层系直接与该基板接触。如申请专利范围第5项所述之光感测器，更包含一保护层。如申请专利范围第5项所述之光感测器，其中该保护层系覆盖在该第二金属层上。