晶圆加工用带

摘要

本发明的晶圆加工用带，具备具有基材片材11与黏着剂层12之黏着带10、及被设置于黏着剂层12上之接着剂薄膜13，系在-15℃～5℃的低温下，藉由扩展黏着带10使接着剂薄膜13对应各个晶片而被分割时使用，黏着带10之藉由于0℃±2℃的剥离试验所得到的相对于接着剂薄膜13的剥离力为0.2N/25mm以上。

主权项

一种晶圆加工用带，其系具备具有基材片材与黏着剂层之黏着带、及被设置于前述黏着带的前述黏着剂层上之接着剂薄膜之晶圆加工用带，其特征系于在-15℃～5℃的低温下，藉由扩展前述黏着带使前述接着剂薄膜对应各个晶片而被分割时使用，前述黏着带之藉由于0℃±2℃的剥离试验所得到的相对于接着剂薄膜的剥离力，为0.2N/25mm以上。如申请专利范围第1项之晶圆加工用带，其中前述黏着带的前述基材片材，系伸展率200%以上、于0℃±2℃的杨氏系数200MPa以上。一种黏着带，其系具有基材片材、与被设置于该基材片材的单面的黏着剂层，在-15℃～5℃的低温下藉由扩展使接着剂薄膜对应各个晶片而被分割时使用之可扩展的黏着带，其特征系藉由于0℃±2℃的剥离试验所得到之相对于接着剂薄膜的剥离力为0.2N/25mm以上。