基板之制造方法

摘要

一种基板之制造方法包括下列步骤：首先，提供一第一母基板，其至少具有两个第一对位标志。接着，测量这些第一对位标志之间的距离，以得出一第一距离。之后，于第一母基板上形成多个阵列单元。然后，分割第一母基板。此外，测量第一对位标志之间的距离，以得出一第二距离。接着，计算第一距离与第二距离之差值，以得出一补偿值。之后，藉由补偿值调整第一对位标志之间的距离，以于一第二母基板上形成至少两个第二对位标志。然后，于第二母基板上形成阵列单元。

主权项

一种基板之制造方法，包括：提供一第一母基板，具有多个阵列单元预定区，且该第一母基板至少具有两个第一对位标志；测量该些第一对位标志之间的距离，得出一第一距离；沿该些阵列单元预定区，分割该第一母基板；测量该些第一对位标志之间的距离，得出一第二距离；计算该第一距离与该第二距离之差值，得出一补偿值；以及藉由该补偿值调整该些第一对位标志之间的距离，以于一第二母基板上形成至少两个第二对位标志，其中当该第二距离小于该第一距离时，以该补偿值加长该些第一对位标志之间的距离，而形成该些第二对位标志。如申请专利范围第1项所述之基板之制造方法，其中该些第一对位标志配置于各该阵列单元预定区之角落，且位于一对角线上。如申请专利范围第1项所述之基板之制造方法，其中该第二母基板具有多个阵列单元预定区，且该些第二对位标志配置于各该阵列单元预定区之角落，且位于一对角线上。如申请专利范围第1项所述之基板之制造方法，其中该第一母基板具有八个第一对位标志，该些第一对位标志分别位于各该阵列单元预定区之各角落。如申请专利范围第4项所述之基板之制造方法，其中该第二母基板具有八个第二对位标志，该些第二对位标志分别位于各该阵列单元预定区之各角落。如申请专利范围第1项所述之基板之制造方法，其中分割该第一母基板之前，更包括于该第一母基板上形成多个阵列单元。如申请专利范围第1项所述之基板之制造方法，其中于该第二母基板上形成至少两个第二对位标志后，更包括于该第二母基板上形成多个阵列单元。如申请专利范围第6或7项所述之基板之制造方法，其中该些阵列单元包括画素单元。如申请专利范围第8项所述之基板之制造方法，其中各该画素单元包括主动元件与画素电极。如申请专利范围第6或7项所述之基板之制造方法，其中该些阵列单元包括彩色滤光单元。如申请专利范围第10项所述之基板之制造方法，其中该些彩色滤光单元包括红色滤光单元、绿色滤光单元或蓝色滤光单元。如申请专利范围第10项所述之基板之制造方法，其中该些彩色滤光单元包括黑矩阵。