| 摘要 |
<p>La présente invention a pour objet une cellule mémoire (10) non volatile comportant au moins deux zones mémoire (17) distinctes et formée chacune dans un matériau à changement de résistivité (14), la cellule mémoire (10) comportant au moins un moyen de chauffage (16) pour chaque zone mémoire (17), chaque moyen de chauffage (16) présentant au moins deux extrémités dont l'une est connectée à une ligne d'alimentation (V1, V2,.., VN) et dont l'autre est mise en contact avec le matériau à changement de résistivité (14), caractérisée en ce que le matériau à changement de résistivité est arrangé en un bloc unique (34) commun à chacune des zones mémoire (17) de la cellule mémoire (10) de sorte à créer localement chacune des zones mémoires (17) distinctes.</p> |
