Erhöhte Integrität von Metallgatestapeln mit großemεdurch Reduzieren von STI-Absenkungen durch Abscheiden eines Füllmaterials nach der STI-Herstellung

摘要

Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente auf der Grundlage von Metallgateelektrodenstrukturen mit großemε, die in einer frühen Fertigungsphase herzustellen sind, wird die Einkapselung empfindlicher Gatematerialien verbessert, indem die Tiefe von abgesenkten Bereichen verringert oder nivelliert wird, die nach der Herstellung von komplexen Grabenisolationsgebieten (STI) erzeugt werden. Zu diesem Zweck wird nach dem Ende des STI-Prozessmoduls ein zusätzliches Füllmaterial so vorgesehen, dass die gewünschte Oberflächentopographie geschaffen wird und auch günstigere Materialeigenschaften der Grabenisolationsgebiete bewahrt werden.