| 发明名称 |
Reduction of Read Disturb Errors in NAND FLASH Memory |
| 摘要 |
Methods and apparatuses for reduction of Read Disturb errors in a NAND FLASH memory system utilizing modified or extra FLASH memory cells. |
| 申请公布号 |
US2012236639(A1) |
申请公布日期 |
2012.09.20 |
| 申请号 |
US201213481927 |
申请日期 |
2012.05.28 |
| 申请人 |
TEXAS MEMORY SYSTEMS, INC. |
发明人 |
CAMP CHARLES J.;FROST HOLLOWAY H. |
| 分类号 |
G11C16/04 |
主分类号 |
G11C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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