Reduzieren der Defektrate während des Abscheidens einer Kanalhalbleiterlegierung in ein in-situ-abgesenktes aktives Gebiet

摘要

Bei der Herstellung komplexer Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; auf der Grundlage einer schwellwertspannungseinstellenden Halbleiterlegierung wird eine sehr effiziente in-situ-Prozesstechnik angewendet, um eine Vertiefung in speziellen aktiven Gebieten zu erzeugen und um die Vertiefung mit einer Halbleiterlegierung wieder aufzufüllen. Um durch Ätzen hervorgerufene Unregelmäßigkeiten während des Bildens der Vertiefung der aktiven Gebiete zu verringern oder zu vermeiden, wird der Grad an Aluminiumkontamination während der vorhergehenden Bearbeitung und insbesondere während der Herstellung der Grabenisolationsgebiete gesteuert.