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Eine Speichereinheit, die auf dem Spin-Torque-Effekt basiert, enthält eine Vielzahl magnetischer Speicherzellen in einer Matrixanordnung, jede magnetische Speicherzelle enthält mindestens ein MTJ-Element (magnetischer Tunnelkontakt) und weist mindestens eine Bitleitung und mindestens eine komplementäre Bitleitung entsprechend der Anzahl der magnetischen Speicherzellen auf. Jedes entsprechende MTJ-n eine erste oder zweite Richtung geleitet wird, um das jeweilige MTJ-Element in einen Zustand niedrigen Widerstands oder einen Zustand hohen Widerstands zu programmieren, und jedes entsprechende MTJ-Element wird mittels eines Lesestroms gelesen, der durch das entsprechende MTJ-Element in eine Richtung geschickt wird, die dazu tendiert, das entsprechende MTJ-Element in den Zustand hohen Widerstands zu ändern.
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