发明名称 HALBLEITERANORDNUNG MIT EINER SCHALTUNG ZUR KOMPENSATION PARASITÄRER INDUKTIVITÄTEN
摘要 <p>Eine Halbleiteranordnung umfasst einen ersten Transistor, einen mit dem ersten Transistor parallel geschalteten zweiten Transistor und eine erste parasitäre Induktivität zwischen einem Emitter des ersten Transistors und einem Emitter des zweiten Transistors. Die Halbleiteranordnung umfasst eine erste Schaltung, die dazu ausgebildet ist, dem ersten Transistor auf der Basis eines gemeinsamen Treibersignals ein erstes Gatetreibersignal zuzuführen, und eine zweite Schaltung, die dazu ausgebildet ist, dem zweiten Transistor auf der Basis des gemeinsamen Treibersignals ein zweites Gatetreibersignal zuzuführen. Die erste Schaltung und die zweite Schl an der ersten parasitären Induktivität dergestalt zu kompensieren, dass das erste Gatetreibersignal und das zweite Gatetreibersignal mit dem gemeinsamen Treibersignal phasengleich sind und denselben Betrag wie dieses aufweisen.</p>
申请公布号 DE102012102154(A1) 申请公布日期 2012.09.20
申请号 DE201210102154 申请日期 2012.03.14
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BAYERER, REINHOLD, DR.;LUNIEWSKI, PIOTR TOMASZ
分类号 H03K17/16;H01L25/16;H02M1/08 主分类号 H03K17/16
代理机构 代理人
主权项
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