| 摘要 |
Beinhalten kann eine Einrichtung bei einem allgemeinen Aspekt ein Abschirmdielektrikum, das innerhalb eines Grabens angeordnet ist, der entlang einer Achse innerhalb einer Epitaxialschicht eines Halbleiters ausgerichtet ist, und eine Abschirmelektrode, die innerhalb des Abschirmdielektrikums angeordnet und entlang der Achse ausgerichtet ist. Beinhalten kann die Einrichtung ein erstes Interpolydielektrikum, das einen Abschnitt aufweist, der eine Ebene senkrecht zu der Achse schneidet, wo die Ebene die Abschirmelektrode schneidet, und ein zweites Interpolydielektrikum, das einen Abschnitt aufweist, der die Ebene schneidet und zwischen dem ersten Interpolydielektrikum und der Abschirmelektrode angeordnet ist. Die Einrichtung kann zudem ein Gate-Dielektrikum beinhalten, das einen Abschnitt aufweist, der an dem ersten Interpolydielektrikum angeordnet ist. |
