| 发明名称 | CMP用研磨液及使用其的研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种CMP用研磨液及使用其的研磨方法，该研磨液在ILD膜的CMP工序中，可以在减少研磨损伤的同时获得充分高的研磨速度，并且研磨粒的聚集不易产生，可以获得高平坦性。本发明的CMP用研磨液是含有研磨粒、添加剂和水的CMP用研磨液，其中，研磨粒包含铈系粒子，添加剂包含通式（1）所示的4-吡喃酮系化合物、以及非离子性表面活性剂和阳离子性表面活性剂中的至少一方。[式中，X<sup>11</sup>、X<sup>12</sup>和X<sup>13</sup>各自独立地是氢原子或1价的取代基。<img file="dda00001820857600011.GIF" wi="505" he="297" /> | ||
| 申请公布号 | CN102686693A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201080059718.8 | 申请日期 | 2010.12.24 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 花野真之;佐藤英一;太田宗宏;茅根环司 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | C09K3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;於毓桢 |
| 主权项 | 1.一种CMP用研磨液，其是含有研磨粒、添加剂和水的CMP用研磨液，其中，所述研磨粒包含铈系粒子，所述添加剂包含下述式（1）所示的4-吡喃酮系化合物、以及非离子性表面活性剂和阳离子性表面活性剂中的至少一方，<img file="FDA00001820857300011.GIF" wi="433" he="253" />式中，X<sup>11</sup>、X<sup>12</sup>和X<sup>13</sup>各自独立地是氢原子或1价的取代基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||