发明名称 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
摘要 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,在基板上沉积第一金属层,并利用第一光罩对第一金属层进行图案化形成栅极;在基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层,利用第二光罩对半导体层进行图案化,保留位于栅极上方的半导体层;在基板上依次沉积透明导电层和第二金属层,利用多段式调整光罩来图案化所述透明导电层和第二金属层,在半导体层上形成包括透明导电层和第二金属层的源极及漏极,在栅绝缘层上由透明导电层形成共通电极,在共通电极上由第二金属层形成反射层。本发明简化了工艺制程,降低了薄膜晶体管阵列基板的制作难度以及成本。
申请公布号 CN102683277A 申请公布日期 2012.09.19
申请号 CN201210140146.7 申请日期 2012.05.08
申请人 深圳市华星光电技术有限公司 发明人 黄华;贾沛
分类号 H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人 欧阳启明
主权项 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供基板;在所述基板上沉积第一金属层,并利用第一光罩对所述第一金属层进行图案化,形成栅极;在所述基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层,利用第二光罩对所述半导体层进行图案化,保留位于所述栅极上方的半导体层;在所述基板上依次沉积透明导电层和第二金属层,利用多段式调整光罩来图案化所述透明导电层和第二金属层,在半导体层上形成包括所述透明导电层和第二金属层的源极及漏极,在栅绝缘层上由所述透明导电层形成共通电极,在所述共通电极上由所述第二金属层形成反射层。
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