发明名称 |
一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,在基板上沉积第一金属层,并利用第一光罩对第一金属层进行图案化形成栅极;在基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层,利用第二光罩对半导体层进行图案化,保留位于栅极上方的半导体层;在基板上依次沉积透明导电层和第二金属层,利用多段式调整光罩来图案化所述透明导电层和第二金属层,在半导体层上形成包括透明导电层和第二金属层的源极及漏极,在栅绝缘层上由透明导电层形成共通电极,在共通电极上由第二金属层形成反射层。本发明简化了工艺制程,降低了薄膜晶体管阵列基板的制作难度以及成本。 |
申请公布号 |
CN102683277A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210140146.7 |
申请日期 |
2012.05.08 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
黄华;贾沛 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
欧阳启明 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供基板;在所述基板上沉积第一金属层,并利用第一光罩对所述第一金属层进行图案化,形成栅极;在所述基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层,利用第二光罩对所述半导体层进行图案化,保留位于所述栅极上方的半导体层;在所述基板上依次沉积透明导电层和第二金属层,利用多段式调整光罩来图案化所述透明导电层和第二金属层,在半导体层上形成包括所述透明导电层和第二金属层的源极及漏极,在栅绝缘层上由所述透明导电层形成共通电极,在所述共通电极上由所述第二金属层形成反射层。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |