发明名称 |
异质结型太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种异质结型太阳能电池及其制造方法,该电池包括具有预定极性的半导体晶片,形成于半导体晶片的一个表面之上的第一半导体层,形成于半导体晶片的另一表面之上的第二半导体层,形成于第一半导体层之上的第一电极,形成于第二半导体层之上的第二电极,以及第一介面层及第二介面层中的至少一个介面层。其中,容纳有氧化锌的第一介面层形成于第一半导体层与第一电极之间,容纳有氧化锌的第二介面层形成于第二半导体层与第二电极之间。第二半导体层与第一半导体层的极性不相同。本发明通过形成介面层,以使得可能防止电极的材料渗透入半导体层之中,并且收集半导体晶片之中的载子且将收集的载子平稳漂移至电极,由此提高电池效率。 |
申请公布号 |
CN102687286A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201080058536.9 |
申请日期 |
2010.01.01 |
申请人 |
周星工程股份有限公司 |
发明人 |
刘真赫 |
分类号 |
H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/072(2012.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种异质结型太阳能电池,包含有:半导体晶片,具有预定的极性;第一半导体层,形成于该半导体晶片的一个表面之上;第二半导体层,形成于该半导体晶片的另一表面之上,其中该第二半导体层与该第一半导体层的极性不相同;第一电极,形成于该第一半导体层之上;第二电极,形成于该第二半导体层之上;以及第一介面层及第二介面层中的至少一个介面层,其中容纳有氧化锌(ZnO)的该第一介面层形成于该第一半导体层与该第一电极之间,并且容纳有氧化锌(ZnO)的该第二介面层形成于该第二半导体层与该第二电极之间。 |
地址 |
韩国京畿道 |