发明名称 |
一种微机械传感器及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种微机械传感器及其制作方法,采用湿法硅腐蚀技术在硅衬底中刻蚀出两倒梯形结构的深腔以及其所夹的正梯形结构的硅块,通过圆片键合技术实现敏感膜和硅块的物理连接,然后通过对硅衬底底部进行刻蚀使所述硅块底部悬空作为质量块,接着采用真空键合实现质量块的密封,最后在敏感膜上制备敏感结构和电极以完成制备。采用湿法硅腐蚀技术有利于降低微机械传感器的制造成本;由于敏感膜和梯形质量块长度较短的一边连接,减少了敏感膜和质量块的连接长度,有利于微机械传感器的尺寸的减小;由于硅块为梯形结构,和传统制作工艺相比,本发明提出的微机械传感器的质量块重量得到提高,有利于提高传感器的性能。 |
申请公布号 |
CN102674240A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210170049.2 |
申请日期 |
2012.05.29 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
徐德辉;熊斌;姚邵康;徐铭;吴国强;王跃林 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种微机械传感器的制作方法,其特征在于,至少包括以下步骤:1)提供第一硅衬底,制作光刻图形并采用湿法各向异性硅腐蚀技术从所述第一硅衬底上表面开始刻蚀,以在所述第一硅衬底中形成间隔且横截面为倒置梯形结构的两深腔结构以及所述两深腔结构之间的横截面为正置梯形结构的硅块结构;2)提供表面结合有敏感膜第二衬底,并将所述敏感膜与所述第一硅衬底的上表面进行键合;或提供表面结合有敏感膜且敏感膜表面结合有氧化层的第二衬底,并将所述氧化层与所述第一硅衬底的上表面进行键合;3)减薄所述第二衬底以露出所述敏感膜;4)于所述敏感膜上制备敏感结构及金属引线;刻蚀所述第一硅衬底的下表面直至露出所述深腔结构及硅块结构,并继续刻蚀所述硅块结构至一预设深度。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |